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“織”就未來:石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測(cè)器,讓可穿戴科技更進(jìn)一步

更新時(shí)間:2024-06-12      點(diǎn)擊次數(shù):443

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想象一下,未來我們穿的衣服不再僅僅是蔽體的工具,而是能夠感知周圍環(huán)境,監(jiān)測(cè)身體狀況,甚至實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互的智能系統(tǒng)。這正是可穿戴科技的魅力所在!而將光電器件,如晶體管和光電探測(cè)器(PDs),集成到可穿戴設(shè)備和紡織品中,是實(shí)現(xiàn)這一愿景的關(guān)鍵。

然而,可穿戴科技的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn),其中一個(gè)關(guān)鍵問題是如何讓器件在彎曲、拉伸等機(jī)械形變下保持穩(wěn)定性能。傳統(tǒng)的器件大多依賴于硅基材料,難以滿足柔性可穿戴的需求。

 

石墨烯-鈣鈦礦開啟可穿戴科技新紀(jì)元

為了突破這一技術(shù)瓶頸,來自劍橋大學(xué)的 Andrea C. Ferrari 教授團(tuán)隊(duì)在 Advanced Materials 期刊上發(fā)表了一項(xiàng)突破性研究,他們巧妙地將石墨烯和鈣鈦礦結(jié)合起來,制備出具有優(yōu)異性能的可穿戴光纖光電探測(cè)器。

l  石墨烯纖維,開啟無限可能
該團(tuán)隊(duì)首先使用化學(xué)氣相沉積 (CVD) 方法在銅箔上生長(zhǎng)出單層石墨烯 (SLG),并將其轉(zhuǎn)移到光纖上,然后將光纖繞轉(zhuǎn)石墨烯層,形成導(dǎo)電的光纖。再通過原子層沉積 (ALD) 技術(shù)沉積一層 Al2O3 薄膜作為介電層,并通過相同方法將另一層石墨烯卷繞在上面,形成器件的通道。最后,在通道層上沉積一層鈣鈦礦,作為器件的光敏元件。

l  石墨烯-鈣鈦礦材質(zhì)特性整理
- 石墨烯,是單層碳原子組成的平面材料,厚度僅為一個(gè)原子層,是已知最薄的材料之一。
其優(yōu)勢(shì):

l  高導(dǎo)電性: 石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能,電子遷移率在室溫下可以達(dá)到15000 cm2/V·s以上。使其成為制作導(dǎo)電纖維的理想材料。

l  柔性可彎曲且輕?。?/span> 石墨烯作為二維材料非常輕薄,幾乎沒有重量的柔性特性使其能夠適應(yīng)纖維的彎曲變形,不會(huì)影響器件性能。

l  化學(xué)穩(wěn)定性: 石墨烯具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,可以抵御環(huán)境中的腐蝕和氧化,從而保證器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

-鈣鈦礦的優(yōu)勢(shì)

l  高光響應(yīng): 鈣鈦礦材料具有良好的光電特性,使其成為制作光電探測(cè)器的理想選擇。

l  可調(diào)諧能隙: 鈣鈦礦材料的能隙可以通過改變其成分進(jìn)行調(diào)節(jié),使其適用于不同的光譜范圍。

l  低成本: 鈣鈦礦材料可通過溶液發(fā)低溫制備,工藝簡(jiǎn)單且成本低廉,使其具有經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。

該團(tuán)隊(duì)制備的光纖光電探測(cè)器 (PD) 表現(xiàn)出優(yōu)異的性能:

高速響應(yīng): 響應(yīng)時(shí)間約為 9 毫秒,比現(xiàn)有的可穿戴光纖光電探測(cè)器快一個(gè)數(shù)量級(jí)。

高外部響應(yīng)度: 488 nm 激光照射下,器件在 1 V 偏置電壓下具有約 22 kA/W 的外部響應(yīng)度,比現(xiàn)有的可穿戴光纖光電探測(cè)器高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

優(yōu)異的柔韌性: 4 mm 半徑彎曲下,器件的光電流保持率高達(dá) 80%,展現(xiàn)出優(yōu)異的柔韌性。

良好的耐洗性: 經(jīng)過 30 AATCC 標(biāo)準(zhǔn)洗滌測(cè)試后,器件的光電流保持率約為 72%,展現(xiàn)出良好的耐洗性。

 

未來的應(yīng)用場(chǎng)景

這項(xiàng)研究為可穿戴光電探測(cè)器的開發(fā)開辟了新的道路,具有廣闊的應(yīng)用前景:

l  醫(yī)療保健: 可穿戴光纖光電探測(cè)器可以集成到衣物中,監(jiān)測(cè)心率、血壓等生理參數(shù),為疾病診斷和健康管理提供更便捷的方式。

l  人機(jī)交互: 光纖光電探測(cè)器可以感知環(huán)境光線變化,從而實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互,例如控制智能設(shè)備、照明系統(tǒng)等。

l  安全監(jiān)測(cè): 光纖光電探測(cè)器可以用于監(jiān)測(cè)危險(xiǎn)環(huán)境,例如檢測(cè)有害物質(zhì)或危險(xiǎn)氣體,保障人員安全。


挑戰(zhàn)與機(jī)遇

盡管石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測(cè)器展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力,但其發(fā)展也面臨著一些挑戰(zhàn):

穩(wěn)定性: 鈣鈦礦材料的穩(wěn)定性仍然是制約其應(yīng)用的重要因素。如何在惡劣環(huán)境條件下保持鈣鈦礦材料的穩(wěn)定性,是未來研究的重點(diǎn)。

大規(guī)模制備: 目前,石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測(cè)器的制備工藝比較復(fù)雜,難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

集成性: 將光纖光電探測(cè)器與其他電子器件和紡織品集成,實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的功能,還需要進(jìn)行進(jìn)一步的研究。


總結(jié)

石墨烯-鈣鈦礦光纖光電探測(cè)器有望在可穿戴科技領(lǐng)域掀起新的革命。其優(yōu)異的性能和良好的穩(wěn)定性,將為可穿戴電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和應(yīng)用開拓新的可能性,為人們的生活帶來更多便利和安全保障。未來,克服現(xiàn)有的挑戰(zhàn),將進(jìn)一步推動(dòng)該技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)可穿戴科技的廣泛應(yīng)用。

 

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Fig. 7.

(B)光致發(fā)光光譜,分析: PVK750 nm處有顯著的發(fā)光峰,而SLG/PVK的發(fā)光強(qiáng)度較低。

(C)光致發(fā)光壽命,分析: PVK的光致發(fā)光壽命較長(zhǎng),而SLG/PVK的衰減更快。


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Fig. 9.

(a) 光纖PD的光譜噪聲功率??v軸為噪聲密度(dBm/Hz),橫軸為頻率(Hz)。(b) 光纖PD的波長(zhǎng)依賴性 ????????R ext  和吸收率。縱軸左側(cè)為 ????????R ext A/W),右側(cè)為吸收率,橫軸為波長(zhǎng)(nm)。


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原文出處: ADVANCED MATERIALS

 

 

 

 

推薦設(shè)備_

1.      PD-QE新型光電傳感器特性分析儀
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規(guī)格

l  PD-QE 有不同的模塊,偏置電壓也可由 20 V 1000 V。同時(shí),可測(cè)量高分辨率的光電流,分辨率最高可達(dá) 10-16 A。

l  波長(zhǎng)擴(kuò)充可達(dá) 1800 nm。

l  可選配軟件升級(jí)控制 Kiethley 4200 SMU。

l  應(yīng)用有機(jī)光傳感器  (OPD, Organic Photodiode)、鈣鈦礦光傳感器 (PPD, Perovskite Photodiode)、量子點(diǎn)光傳感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)、新型材料光傳感器,第三代半導(dǎo)體材料(Photodiode/Photodetector)


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